商品名稱:MT53E1G64D4HJ-046?AAT:C
數(shù)據(jù)手冊:MT53E1G64D4HJ-046?AAT:C.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:556-TFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C 具有低電壓的64Gb移動低功耗LPDDR4X SDRAM是一款高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲設(shè)備,內(nèi)部配置為1G x 64。Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比,這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比,LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5,這些器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
產(chǎn)品屬性:
存儲器類型:易失
存儲器格式:DRAM
技術(shù):SDRAM - 移動 LPDDR4X
存儲容量:64Gb
存儲器組織:1G x 64
存儲器接口:并聯(lián)
時鐘頻率:2.133 GHz
寫周期時間 - 字,頁:18ns
訪問時間:3.5 ns
電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:556-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝:556-WFBGA(12.4x12.4)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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