商品名稱:NCP189CMTW330TAG
數(shù)據(jù)手冊:NCP189CMTW330TAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-WDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP189CMTW330TAG低噪聲低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器是500mA器件,具有下一代高PSRR和電源良好開路集電極輸出。穩(wěn)壓器設計用于滿足射頻和敏感模擬電路的要求,具有低噪聲和低靜態(tài)電流,同時允許低至0.6V的輸出電壓。該器件還具有出色的負載/線路瞬態(tài)。低噪聲低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器設計用于與4.7μF輸入/輸出陶瓷電容器搭配使用。
特性
● 1.6V 到 5.5V 的工作輸入電壓范圍
● 0.6V至5.0V固定電壓選項
● 0.6V可調(diào)版本參考電壓
● 初始精度:±0.7%(+25°C時)
● 低靜態(tài)電流:35μA(典型值)
● 關斷電流:0.1μA(典型值)
● 極低壓差:65mV(典型值,500mA時,3.3V型號)
● 高PSRR:85dB(100mA、f = 1kHz時的典型值)
● 低噪聲:10μVRMS(固定版本)
● 可通過小型4.7μF陶瓷電容器穩(wěn)定工作
● 受控輸出電壓轉換率:5mV/μs
● 采用WDFNW6 2mm x 2mm x 0.75mm封裝,功率為511DW
● 濕度靈敏性等級 (MSL) 1級
● 無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令
應用
● 通信系統(tǒng)
● 車載網(wǎng)絡
● 遠程信息處理、信息娛樂和儀表板
● 通用汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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AFGH4L25T120RWD
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢:86-755-83294757
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