商品名稱(chēng):NCP189CMTW180TAG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP189CMTW180TAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-WDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCP189CMTW180TAG 是一款 0.5 A LDO、新一代高 PSRR、低噪聲和低壓差穩(wěn)壓器,具有電源良好集電極開(kāi)路功能。專(zhuān)為滿(mǎn)足射頻和敏感模擬電路的要求而設(shè)計(jì)。器件具有低噪聲、高 PSRR 和低靜態(tài)電流的特性,同時(shí)還能調(diào)節(jié)低至 0.6 V 的輸出電壓。該器件還具有出色的負(fù)載/線路瞬態(tài)性能,可與 4.7 F 的輸入和輸出陶瓷電容器配合使用。它采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 WDFNW60.65P, 2 mm x 2 mm。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:正
輸出類(lèi)型:固定
穩(wěn)壓器數(shù):1
電壓 - 輸入(最大值):5.5V
電壓 - 輸出(最小值/固定):1.8V
電壓降(最大值):0.093V @ 500mA
電流 - 輸出:500mA
電流 - 靜態(tài) (Iq):55 μA
控制特性:使能,電源良好,軟啟動(dòng)
保護(hù)功能:過(guò)流,超溫
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝,可潤(rùn)濕側(cè)翼
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:6-WDFNW(2x2)
應(yīng)用
● 通信系統(tǒng)
● 車(chē)載網(wǎng)絡(luò)
● 遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂(lè)和集群
● 通用汽車(chē)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車(chē)應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性?xún)r(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車(chē)應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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