商品名稱(chēng)：FAN53730UC01X
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
FAN53730UC01X.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-XFBGA
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
FAN53730UC01X 是一款恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 降壓轉(zhuǎn)換器，支持最小 3 A 負(fù)載電流。該器件的 COT 拓?fù)淇商峁┳羁斓乃矐B(tài)恢復(fù)和最佳的效率（相對(duì)于負(fù)載）可變頻率工作。
產(chǎn)品屬性
功能：降壓
輸出配置：正
拓?fù)洌航祲?/span>
輸出類(lèi)型：可編程
輸出數(shù)：1
電壓 - 輸入（最小值）：2.3V
電壓 - 輸入（最大值）：5.5V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：0.3V
電壓 - 輸出（最大值）：2V
電流 - 輸出：3A
頻率 - 開(kāi)關(guān)：2.5MHz
同步整流器：是
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：12-XFBGA，WLCSP
供應(yīng)商器件封裝：12-WLCSP（1.07x1.36）
應(yīng)用
● LPDDR 存儲(chǔ)器
● 移動(dòng)和智能設(shè)備
● 射頻模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
WSON-6
12000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 0.6V 1 輸出 600mA 6-WDFN 祼焊盤(pán)
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 1V（3.3V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 3V（3.6V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可編程（固定） 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可編程（固定） 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
8-TDFN
2000
升壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 2.3V 1 輸出 850mA 8-WFDFN 裸露焊盤(pán)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車(chē)應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅(jiān)固、高性?xún)r(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車(chē)應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢(xún)：86-755-83294757
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