商品名稱:AR0135AT2M00XUEA0-DPBR
數(shù)據(jù)手冊:AR0135AT2M00XUEA0-DPBR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:63-iBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AR0135AT 1/3 英寸形式、1.2 MP 成像器件適用于滿足汽車車廂內(nèi)攝像頭的挑戰(zhàn)性要求。該傳感器結(jié)合了新型創(chuàng)新全局快門像素設(shè)計,與前代產(chǎn)品相比暗電流降低了 10 倍,快門效率提高了 4 倍。這些性能改善讓該傳感器能夠在低光度和亮度場景以及高溫環(huán)境中產(chǎn)生清晰的無噪點圖像。此性能在下一代汽車廂內(nèi)系統(tǒng)中實現(xiàn)了所需的眼部跟蹤和手勢檢測功能。
器件:AR0135AT2M00XUEA0-DPBR
類型:CMOS
像素大小:3.75μm x 3.75μm
有源像素陣列:1280H x 960V
封裝/外殼:63-LBGA
供應商器件封裝:63-iBGA(9x9)
工作溫度:-40°C ~ 105°C
基本產(chǎn)品編號:AR0135
應用
?汽車場景處理
?掃描和機器視覺
?720P60視頻應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設(shè)計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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