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NVBG040N120SC1 MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：56毫歐 @ 35A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：106 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1789 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：357W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應用

● 汽車板載充電器

● 用于電動汽車/混合動力汽車的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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