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IMZA65R072M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性，從而增強(qiáng)了設(shè)備性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢。

產(chǎn)品屬性

系列： CoolSiC?  

包裝： 管件  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：28A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 94 毫歐 @ 13.3A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 22 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 744 pF @ 400 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 96W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-4-3  

封裝/外殼： TO-247-4

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機(jī)驅(qū)動器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。