商品名稱：EAB450M12XM3
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
EAB450M12XM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
Wolfspeed EAB450M12XM3 符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 1200 V、450 A 全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋模塊。
技術(shù)特點(diǎn)
高功率密度足跡
高結(jié)溫 (175 °C) 工作
低電感（6.7 nH）設(shè)計(jì)
采用傳導(dǎo)優(yōu)化的第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
氮化硅絕緣體和銅基板
系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
端子布局允許直接連接母線，無(wú)需彎曲或套管，從而實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單、低電感的設(shè)計(jì)、 低電感設(shè)計(jì)。
隔離式集成溫度傳感器可提供高級(jí)溫度保護(hù)。
專用漏極開爾文引腳可直接檢測(cè)電壓，以實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)器過(guò)流保護(hù)。
應(yīng)用
電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器
汽車快速充電器
汽車測(cè)試設(shè)備
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時(shí)電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認(rèn)證的SiC 功率模塊，主要用于感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動(dòng)汽車快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…
CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V，100A的T型工業(yè)級(jí)碳化硅（SiC）模塊，主要用于工業(yè)領(lǐng)域，特別是需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色，適合各種工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 個(gè) N 通…
CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅（SiC）功率模塊，由Wolfspeed公司生產(chǎn)，主要用于各種工業(yè)應(yīng)用，特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù)：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點(diǎn)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600（I 類材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計(jì)超低損耗、高頻運(yùn)行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過(guò) 1500 V 直流電鏈路實(shí)…電話咨詢：86-755-83294757
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