商品名稱：BSM180D12P2C101
數(shù)據(jù)手冊：
BSM180D12P2C101.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM180D12P2C101 SiC 功率模塊是由一個碳化硅 DMOSFET 和一個碳化硅肖特基勢壘二極管組成的半橋模塊。ROHM Semiconductor 設(shè)計用于電機驅(qū)動、變頻器/轉(zhuǎn)換器、光伏、能量收集和感應(yīng)加熱設(shè)備。它具有低浪涌、低開關(guān)損耗和高速開關(guān)的特點。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：204A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：23000pF @ 10V
功率 - 最大值：1130W
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：模塊
應(yīng)用
● 電機驅(qū)動
● 變頻器、轉(zhuǎn)換器
● 光伏、風(fēng)力發(fā)電。
● 感應(yīng)加熱設(shè)備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
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