商品名稱:CAB008A12GM3T
數(shù)據(jù)手冊:CAB008A12GM3T.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CAB008A12GM3T碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組(三相)配置,均可選擇預(yù)涂HoneywellTM導(dǎo)熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率(10kW至100+kW)的設(shè)計,占位面積小,支持開發(fā)更緊湊、可擴(kuò)展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品,方便隨時進(jìn)行系統(tǒng)更新。與標(biāo)準(zhǔn)熱潤滑脂相比,選擇帶有預(yù)涂TIM的WolfPACK模塊可將結(jié)溫 (Tj) 降低高達(dá)40°C或?qū)㈦娏髟黾痈哌_(dá)60%。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):182A(Tj)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):10.4 毫歐 @ 150A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 46mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):472nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):13600pF @ 800V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:模塊
應(yīng)用
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 電動汽車充電器
● 高效轉(zhuǎn)換器/逆變器
● 可再生能源
● 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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