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Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應用節(jié)省BOM。

器件：MT53E256M32D1KS-046 WT:L

產(chǎn)品種類：動態(tài)隨機存取存儲器

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

組織: 256 M x 32

存儲容量: 8 Gbit

封裝：200-VFBGA

LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應用和超便攜設(shè)備。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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