商品名稱:MT53E256M32D1KS-046?IT:L
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-VFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MT53E256M32D1KS-046 IT:L LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比,它的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比,LPDDR4內(nèi)存在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5。該存儲(chǔ)器采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計(jì),可節(jié)省PCB空間。
特性
優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題
與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比,在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5
多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計(jì),可節(jié)省PCB空間
與DDR4相比,峰值帶寬快33%
LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實(shí)現(xiàn)了完美平衡,因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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