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Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。

器件：MT53E256M32D2DS-046 AIT:B

產(chǎn)品種類：動態(tài)隨機存取存儲器

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術(shù)：SDRAM - Mobile LPDDR4

存儲容量：8Gb

存儲器組織：256M x 32

存儲器接口：-

時鐘頻率：2.133 GHz

寫周期時間 - 字，頁：-

電壓 - 供電：1.1V

工作溫度：-40°C ~ 95°C（TC）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：200-WFBGA

供應(yīng)商器件封裝：200-WFBGA（10x14.5）

基本產(chǎn)品編號：MT53E256

LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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