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PSMN6R1-40HLX N溝道MOSFET是一款雙邏輯電平N溝道MOSFET，采用LFPAK56D（雙電源SO8）封裝。Nexperia MOSFET采用TrenchMOS技術(shù)。這些器件達到重復(fù)雪崩等級，可耐受175°C溫度。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.1 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22.2nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3000pF @ 25V

功率 - 最大值：64W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D

應(yīng)用

● 無刷直流電機控制

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 高性能同步整流

● 高性能、高效率服務(wù)器電源

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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